失效模式可追溯卡 · 点开即可回溯来源依据（点击外链可追溯）
← 返回知识库导航
设备 VFD-101 FM rectifier_diode_failure ISO 14224 功能码 Rectifier diode failure Rectifier diode failure 来源 synthetic + standards-based engineering estimate (ISO 14224 / IEC 61800 / IEEE C57 框架归类)
输入整流桥二极管失效
VFD-101 VFD-101 · Variable Frequency Drive (VFD)
关联设备 → VFD-101 VFD-101
0.82来源置信度
—证据置信度
Rectifier diode failureISO 14224 功能码
1失效机理

功能：交流整流为直流

致因：输入浪涌/反向电压击穿或热疲劳

损伤机理：输入整流二极管承受浪涌电流与反向电压击穿，或长期热疲劳导致正向压降升高开路

2来源依据（本失效模式从何而来）
synthetic + standards-based engineering estimate (ISO 14224 / IEC 61800 / IEEE C57 框架归类)

来源置信度 0.82：该失效模式由本体知识库提炼，并经由 synthetic + standards-based engineering estimate (ISO 14224 / IEC 61800 / IEEE C57 框架归类) 交叉印证。

3证据链（支撑依据）
本失效模式暂无离线策展证据文本，依据本体知识库提炼，并经所列标准条款与关联事故调查交叉印证。
主导标准（证据）：
  • std:IEC 60146 — Semiconductor converters — General requirements and line commutated converters · 机理级工程估计，非实测；引用 governing standard 作为分类出处
  • std:IEC 60747 — Semiconductor devices — Discrete devices · 机理级工程估计，非实测；引用 governing standard 作为分类出处
4关联真实事故（可追溯至事故卡库）
NUREG-IN-94-51NUREG-LER-2006-004-FERMI2

该失效模式在 2 起真实事故调查中被记录，点报告号进入对应事故教训卡。

5适用标准与条款
IEC 60146IEC 60747

无单独条款引用。

6派生分析（由本 FM 种子生成）
6/3/3FMEA 严/频/检
0.05RBI 失效率 λ
0.7监测检出 pdet
12 月检验周期

当前任务：输入侧电流/电压监测 | 浪涌防护检查

RCFA 事件：输入整流桥二极管失效：输入浪涌/反向电压击穿或热疲劳，后果类型 Operational，严重度 6

7RCM 维修决策（策略落地）
CBM视情维修(On-Condition)
推荐任务无损检测(UT/MT/PT) 监测裂纹萌生, 关键转动件定时拆检; 绝缘/电气试验 + 继电保护定值校核 + 操动机构特性测试
建议间隔高风险 1-3 月 / 中风险 6-12 月 / 低风险 检修期 (按 RBI 风险定级)
判定依据机理类别=electrical; fatigue
依据标准
API 579API 612ASME VIIIGB/T 14285IEC 60034IEEE C57
⚠ 本决策由 RCM 逻辑基于损伤机理 / 根因 / 致因工程推导得出，非现场实测台账统计结果；执行前须经设备主管与工艺确认。
失效模式 rectifier_diode_failure · 数据取自 OPC 知识库与白名单公开源，由可靠性 AI 整理，仅作可靠性展示用途。证据引用码为内部索引，非公开 DOI 链接。